Internal Photo Emission(IPE) over HfO_2 and Hf_<(1-x)>Si_xO_2 High-k Insulating Barriers:Band Offset and Interfacial Dipole Characterization
Internal Photo Emission(IPE) over HfO_2 and Hf_<(1-x)>Si_xO_2 High-k Insulating Barriers:Band Offset and Interfacial Dipole Characterization
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HfO_2 和 Hf_<(1-x)>Si_xO_2 高 k 绝缘势垒上的内部光发射 (IPE)：能带偏移和界面偶极子表征
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Nishimura A.Toriumi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J.Widiez;K.Kita;K.Tomida;T.Nishimura A.Toriumi
