H.Ishiwara: "Strain relaxation in heteroepitaxial Ge/Si structures by annealing under ultra high pressure" Mat.Res.Soc.SympO.Proc.(1992)
H.Ishiwara: "Strain relaxation in heteroepitaxial Ge/Si structures by annealing under ultra high pressure" Mat.Res.Soc.SympO.Proc.(1992)
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H.Ishiwara：“通过超高压退火实现异质外延 Ge/Si 结构的应变松弛”Mat.Res.Soc.SympO.Proc.(1992)
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