Fabrication and Characterization of Antimonide-Based Composite-Channel InAs/AlGaSb HFETs using High-k Gate Insulators
Fabrication and Characterization of Antimonide-Based Composite-Channel InAs/AlGaSb HFETs using High-k Gate Insulators
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使用高 k 栅极绝缘体的锑基复合沟道 InAs/AlGaSb HFET 的制造和表征
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Inoue
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Kiso;H. Yoshikawa;Y. Ishibashi;K. Nishisaka;K. Ogata;T. Maemoto;S. Sasa;M. Inoue
