High-Q resonators on double-layer SOI platform
High-Q resonators on double-layer SOI platform
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双层 SOI 平台上的高 Q 谐振器
DOI：
10.1109/ipcon.2013.6656621
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Adibi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Moradinejad;A. Atabaki;Amir H. Hosseinia;A. Eftekhar;A. Adibi
我们报告了在使用晶圆键合开发的双层 SOI 材料平台上具有最高 Q 值的微谐振器。我们还演示了 Q's>20k 的 2 μm 半径谐振器，这是此类平台上最紧凑的谐振器。
We report microresonators with the highest Q on a double-layer SOI material platform developed using wafer bonding. We also demonstrate 2 μm radius resonators with Q's>20k which are the most compact resonators on such platforms.