III-V/Ge MOS Device Technologies for Ultra-Low Power LSIs
III-V/Ge MOS Device Technologies for Ultra-Low Power LSIs
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用于超低功耗 LSI 的 III-V/Ge MOS 器件技术
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Takagi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Tsujikawa;Y. Matsuzawa;M. Shirai;宮本恭幸;S. Takagi
