Tri-gate Floating Gate Nanowire MOSFETs with Vth Self-adjustment for Improvement of SRAM Cells Stability in Sub-0.3 V Operation
Tri-gate Floating Gate Nanowire MOSFETs with Vth Self-adjustment for Improvement of SRAM Cells Stability in Sub-0.3 V Operation
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具有 Vth 自调节功能的三栅极浮栅纳米线 MOSFET，可提高 SRAM 单元在低于 0.3 V 运行时的稳定性
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Toshiro Hiramoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Seung-Min Jung;Takuya Saraya;Kiyoshi Takeuchi;Masaharu Kobayashi;and Toshiro Hiramoto
