3kVノーマリーオフ型SiC-BGSITの設計
3kVノーマリーオフ型SiC-BGSITの設計
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3kV常断型SiC-BGSIT的设计
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
矢野浩司
中科院分区：
文献类型：
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作者：
飯塚大臣;田中保宣;八尾勉;高塚章夫;山本真幸;矢野浩司
