Si表面炭化基板上へのGaN成長のTMAl先行供給条件依存性
Si表面炭化基板上へのGaN成長のTMAl先行供給条件依存性
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Si 表面碳化衬底上 GaN 生长对 TMAl 先前供应条件的依赖性
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
朱 逸夫，百瀬 健，霜垣 幸浩，出浦 桃子
中科院分区：
文献类型：
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作者：
青木 洋;青木 祥宏;劉 恢弘;藤井 英俊;朱 逸夫，百瀬 健，霜垣 幸浩，出浦 桃子
