H.Wado, T.Shimizu, and M.Ishida: "Epitaial Growth of SiGe on Al_2O_3 using Si2H6 gas and Ge solid source epitaxy" Journal of Crystal Growth. 169. 457-462 (1996)
H.Wado, T.Shimizu, and M.Ishida: "Epitaial Growth of SiGe on Al_2O_3 using Si2H6 gas and Ge solid source epitaxy" Journal of Crystal Growth. 169. 457-462 (1996)
复制标题
H.Wado、T.Shimizu 和 M.Ishida：“使用 Si2H6 气体和 Ge 固体源外延在 Al_2O_3 上外延生长 SiGe”《晶体生长杂志》。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
