高速緩和なし法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのしきい値電圧変動評価
高速緩和なし法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのしきい値電圧変動評価
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使用快速无松弛法评估p沟道4H-SiC MOSFET的阈值电压波动
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
矢野裕司
中科院分区：
文献类型：
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作者：
坂田大輝;岡本大;染谷満;岡本光央;原田信介;畠山哲夫;根本宏樹;張旭芳;岩室憲幸;矢野裕司
