二段階PLD法を用いた室温強磁性酸化鉄半導体薄膜の創製
二段階PLD法を用いた室温強磁性酸化鉄半導体薄膜の創製
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两步PLD法制备室温铁磁氧化铁半导体薄膜
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
田畑 仁
中科院分区：
文献类型：
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作者：
張 博棟;石田 丈;山原 弘靖;関 宗俊;田畑 仁
