AlN Grown on a- and n-Plane Sapphire Substrates:by Low-Pressure Hydride Vapor Phase Epitaxy
AlN Grown on a- and n-Plane Sapphire Substrates:by Low-Pressure Hydride Vapor Phase Epitaxy
复制标题
在 a 面和 n 面蓝宝石衬底上生长 AlN：低压氢化物气相外延
DOI：
10.7567/jjap.52.08jb31
复制
发表时间：
2013
影响因子：
1.5
通讯作者：
and Osamu Eryu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Naoki Goriki;Hideto Miyake;Kazumasa Hiramatsu;Toru Akiyama;Tomonori Ito;and Osamu Eryu
