電気容量解析に基づくSi基板内のプラズマプロセス誘起欠陥のギャップ内準位分布予測
電気容量解析に基づくSi基板内のプラズマプロセス誘起欠陥のギャップ内準位分布予測
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基于电容分析预测硅衬底中等离子体工艺引起的缺陷的能隙内能级分布
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
濱野誉，占部継一郎，江利口浩二
中科院分区：
文献类型：
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作者：
濱野誉，占部継一郎，江利口浩二
