M.Yoshimoto,K.Shimozono,T.Maeda,T.Ohnishi,: "Room-temperatuce Epitaxial growth of CeO_2 Thin Films on si(III) Subdrates for Fabvication of Sharp Oxide / Silicon Interface" Japacesc Journrl of Applied phasics. 34. <688-<690 (1995)
M.Yoshimoto,K.Shimozono,T.Maeda,T.Ohnishi,: "Room-temperatuce Epitaxial growth of CeO_2 Thin Films on si(III) Subdrates for Fabvication of Sharp Oxide / Silicon Interface" Japacesc Journrl of Applied phasics. 34. <688-<690 (1995)
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M.Yoshimoto、K.Shimozono、T.Maeda、T.Ohnishi，：“在 si(III) 基板上室温外延生长 CeO_2 薄膜，用于制作尖锐的氧化物/硅界面” Japacesc 应用相学杂志。
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