Strained-Si channel heterojunction p-MOSFETs
Strained-Si channel heterojunction p-MOSFETs
复制标题
应变硅沟道异质结 p-MOSFET
DOI：
10.1016/s0038-1101(98)00060-4
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发表时间：
1998
影响因子：
1.7
通讯作者：
C. K. Maiti
中科院分区：
文献类型：
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作者：
G.A. Armstrong;C. K. Maiti
