Novel SiC/Si Heterojunction Power MOSFET with Breakdown Point Transfer (BPT) Terminal Technology by TCAD Simulation Study
Novel SiC/Si Heterojunction Power MOSFET with Breakdown Point Transfer (BPT) Terminal Technology by TCAD Simulation Study
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TCAD 仿真研究采用击穿点转移 (BPT) 端子技术的新型 SiC/Si 异质结功率 MOSFET
DOI：
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发表时间：
2018
影响因子：
3.1
通讯作者：
Yintang Yan
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Baoxing Duan;Xin Yang;Jianmei Lv;Yintang Yan
