Molecular beam epitaxy of highly crystalline GeSnC using CBr 4 at low temperatures
Molecular beam epitaxy of highly crystalline GeSnC using CBr 4 at low temperatures
复制标题
低温下使用 CBr 4 的高结晶 GeSnC 分子束外延
DOI：
10.1063/5.0102093
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发表时间：
2022
影响因子：
4
通讯作者：
Wistey, Mark A.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Dey, Tuhin;Reza, Md. Shamim;Arbogast, Augustus;Holtz, Mark W.;Droopad, Ravi;Bank, Seth R.;Wistey, Mark A.
