Quasicondensate growth on an atom chip
Quasicondensate growth on an atom chip
复制标题
原子芯片上的准凝聚态生长
DOI：
10.1103/physreva.73.053603
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发表时间：
2005
影响因子：
2.9
通讯作者：
H. Stoof
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
N. Proukakis;J. Schmiedmayer;H. Stoof
我们讨论并模拟了一个研究原子芯片上准凝聚生长的实验。特别地，我们考虑在限制超冷一维原子玻色气体的弱简谐陷阱中增加一个深凹陷，使其低于或接近准凝聚形成的特征温度。随后的动力学主要取决于初始条件和微扰势的形式。一般来说，动力学特征是激波在准凝聚云中的传播和从周围热云中生长的准凝聚云的组合。
We discuss and model an experiment to study quasicondensate growth on an atom chip. In particular, we consider the addition of a deep dimple to the weak harmonic trap confining an ultracold one-dimensional atomic Bose gas, below or close to the characteristic temperature for quasicondensate formation. The subsequent dynamics depends critically on both the initial conditions and the form of the perturbing potential. In general, the dynamics features a combination of shock-wave propagation in the quasicondensate and quasicondensate growth from the surrounding thermal cloud.