M.Fujinami, T.Miyagoe, T.Sawada, T.Akahane: "Improved depth profiling with slow positrons of ion implanted-induced damage in silicon"Journal of Applied Physics. 94. 4382-4388 (2003)
M.Fujinami, T.Miyagoe, T.Sawada, T.Akahane: "Improved depth profiling with slow positrons of ion implanted-induced damage in silicon"Journal of Applied Physics. 94. 4382-4388 (2003)
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M.Fujinami、T.Miyagoe、T.Sawada、T.Akahane：“利用慢正电子对硅中离子注入引起的损伤改进深度分析”应用物理学杂志。
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