Impact of bulk traps in GaN buffer on the gate-lag transient characteristics of AlGaN/GaN HEMTs
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DOI：
10.1016/j.sse.2014.06.040
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发表时间：
2014-10
影响因子：
1.7
通讯作者：
Xingye Zhou;Zhihong Feng;Li Wang;Yuangang Wang;Y. Lv;S. Dun;S. Cai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Xingye Zhou;Zhihong Feng;Li Wang;Yuangang Wang;Y. Lv;S. Dun;S. Cai
