稀磁半导体Hg0.89Mn0.11Te磁化强

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DOI:
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发表时间:
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期刊:
物理学报,2007,56(2):1141-1144
影响因子:
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通讯作者:
介万奇
介万奇
中科院分区:
其他
文献类型:
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作者:
王泽温;介万奇

文献摘要

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