Cohesive energies of cubic III-V semiconductors.
Cohesive energies of cubic III-V semiconductors.
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立方 III-V 族半导体的内聚能。
DOI：
10.1103/physrevb.54.2556
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发表时间：
1996
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Stoll
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Paulus;Fulde;Stoll
使用从头计算方案确定了十二种具有闪锌矿结构的立方 III-V 族半导体的内聚能。特别是，使用单激励和双激励的耦合簇方法评估了相关性贡献。这是通过对局域键轨道以及此类键的对和三元组获得的增量来完成的。将这些结果与相应的 Hartree-Fock 数据相结合，我们恢复了大约 92% 的实验内聚能。 \textcopyright{} 1996 美国物理学会。
Cohesive energies for twelve cubic III-V semiconductors with zinc-blende structure have been determined using an ab initio scheme. Correlation contributions, in particular, have been evaluated using the coupled-cluster approach with single and double excitations. This was done by means of increments obtained for localized bond orbitals and for pairs and triples of such bonds. Combining these results with corresponding Hartree-Fock data, we recover about 92% of the experimental cohesive energies. \textcopyright{} 1996 The American Physical Society.