H.-S.Cho et al.: "Etching Characteristics of Impurity-Doped Si_<1-x>Ge_x Epitaxial Films Using Electron-Cyclotron-Resonance Chlorine Plasma"First International SiGe Technology and Device Meeting(ISTDM 2003). 181-182 (2003)
H.-S.Cho et al.: "Etching Characteristics of Impurity-Doped Si_<1-x>Ge_x Epitaxial Films Using Electron-Cyclotron-Resonance Chlorine Plasma"First International SiGe Technology and Device Meeting(ISTDM 2003). 181-182 (2003)
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H.-S.Cho等人：“使用电子回旋共振氯等离子体蚀刻杂质掺杂Si_1-x>Ge_x外延薄膜的特性”第一届国际SiGe技术和器件会议(ISTDM 2003)。
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