Embedded epitaxial growth of 4H-SiC on trenched substrates and pn junction characteristics
Embedded epitaxial growth of 4H-SiC on trenched substrates and pn junction characteristics
复制标题
沟槽衬底上 4H-SiC 嵌入式外延生长及 pn 结特性
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Kimoto 他
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Miyazaki;M. Ikeda;K. Makihara;K. Shimanoe;R. Matsumoto;T.Kimoto 他
