Internal quantum efficiency of nitride light emitters: a critical perspective
Internal quantum efficiency of nitride light emitters: a critical perspective
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DOI：
10.1117/12.2290082
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发表时间：
2018-02
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Hangleiter;T. Langer;P. Henning;Fedor Alexej Ketzer;H. Bremers;U. Rossow
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Hangleiter;T. Langer;P. Henning;Fedor Alexej Ketzer;H. Bremers;U. Rossow
内量子效率（IQE）是发光半导体结构的关键特性。我们批判性地审查最流行的方法来确定IQE。特别地，我们讨论了低温非辐射复合对温度依赖的CW光致发光测量的影响。利用温度依赖的时间分辨光致发光，我们建立了一种方法来验证100%IQE在低温下，从而获得在所有温度下的绝对内量子效率。
The internal quantum efficiency (IQE) is a key property of light-emitting semiconductor structures. We critically review the most popular methods for determining the IQE. In particular, we discuss the impact of low- temperature non-radiative recombination on temperature-dependent CW photoluminescence measurements. Using temperature-dependent time-resolved photoluminescence we establish a method to verify 100 % IQE at low temperature and thus to obtain absolute internal quantum efficiencies at all temperatures.