Tightening grip
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DOI：
10.1038/s41563-018-0020-x
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
41.2
通讯作者：
D. Strukov
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. Strukov
在SiGe固态电解质层中设计用于离子传输的通道允许显著降低电阻切换存储器中的电特性的空间和时间变化。
Engineering channels for ion transport in a SiGe solid-state electrolyte layer allows one to significantly decrease the spatial and temporal variations of the electrical characteristics in resistive switching memories.