有限要素法解析とラマン分光法によるパワーデバイス用GaN-on-Si構造の応力場評価
有限要素法解析とラマン分光法によるパワーデバイス用GaN-on-Si構造の応力場評価
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使用有限元分析和拉曼光谱评估功率器件的 GaN-on-Si 结构的应力场
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
尾ノ上義喜，小金丸正明，松本聡，池田徹
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Hagiwara;I. Koh;K. Suthiwanich;A. Tkano;亀田 卓;尾ノ上義喜，小金丸正明，松本聡，池田徹
