Charge carrier relaxation processes in TbAs nanoinclusions in GaAs measured by optical-pump THz-probe transient absorption spectroscopy

Charge carrier relaxation processes in TbAs nanoinclusions in GaAs measured by optical-pump THz-probe transient absorption spectroscopy
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通过光泵太赫兹探针瞬态吸收光谱测量 GaAs 中 TbAs 纳米夹杂物的载流子弛豫过程

DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
Conference on Lasers and Electro-Optics
影响因子：
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通讯作者：
M. Doty
M. Doty
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
Laura R. Vanderhoef;A. Azad;Cory C. Bomberger;D. R. Chowdhury;D. Chase;A. Taylor;J. Zide;M. Doty

文献摘要

被引文献

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通过分析载流子弛豫速率与泵浦能量密度和样品温度的关系，我们得出了埋在GaAs中的TbAs态是饱和的结论。这表明TbAs纳米颗粒存在带隙。
By analyzing how carrier relaxation rates depend on pump fluence and sample temperature, we conclude that states of TbAs embedded in GaAs are saturable. This suggests the existence of a bandgap for TbAs nanoparticles.