Electron transport in physically-defined double quantum dots on a highly doped silicon-on-insulator substrate
Electron transport in physically-defined double quantum dots on a highly doped silicon-on-insulator substrate
复制标题
高掺杂绝缘体上硅基板上物理定义的双量子点中的电子传输
DOI：
10.1063/1.4962841
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发表时间：
2016
影响因子：
4
通讯作者：
T. Kodera
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Yamaoka;S. Oda;T. Kodera
