T.Ichino, H.Uchida, M.Ichimura, E.Arai: "Sb Pile-up at Oxide and Si Interface during Drive-in Process after Predeposition Using Doped Oxide Source"Jpn. J. Appl. Phys.. 42(掲載予定). (2003)
T.Ichino, H.Uchida, M.Ichimura, E.Arai: "Sb Pile-up at Oxide and Si Interface during Drive-in Process after Predeposition Using Doped Oxide Source"Jpn. J. Appl. Phys.. 42(掲載予定). (2003)
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T.Ichino、H.Uchida、M.Ichimura、E.Arai：“使用掺杂氧化物源进行预沉积后，氧化物和硅界面处的 Sb 堆积”Jpn. J. Appl. 42 （计划）。
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