Hiroyuki Wado: "The growth properties of SiGe Films on Si(100)using Si_2H_6 gas and Ge Solid Source Molecular Beam Epitaxy" J.Cryst.Growth. 149. 320-325 (1955)
Hiroyuki Wado: "The growth properties of SiGe Films on Si(100)using Si_2H_6 gas and Ge Solid Source Molecular Beam Epitaxy" J.Cryst.Growth. 149. 320-325 (1955)
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Hiroyuki Wado：“使用 Si_2H_6 气体和 Ge 固体源分子束外延在 Si(100) 上生长 SiGe 薄膜的特性”J.Cryst.Growth。
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