Hydrogenation of The Buried Interface as A Stable Nano-Doping Technique to Oxide Semiconductors
Hydrogenation of The Buried Interface as A Stable Nano-Doping Technique to Oxide Semiconductors
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埋入界面氢化作为氧化物半导体的稳定纳米掺杂技术
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Takeaki Yajima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takahiro Kitagawa;Mihary Fiderana Ramananarivo;Akihiko Fujii;and Masanori Ozaki;Takeaki Yajima
