Fabrication of GaN epitaxial thin film on InGaZnO4 single-crystalline buffer layer
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DOI：
10.1016/j.tsf.2009.10.131
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发表时间：
2010-03
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
T. Shinozaki;K. Nomura;T. Katase;T. Kamiya;M. Hirano;H. Hosono
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Shinozaki;K. Nomura;T. Katase;T. Kamiya;M. Hirano;H. Hosono
