Si2-の振動回転状態を経由した遅延電子脱離
Si2-の振動回転状態を経由した遅延電子脱離
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通过 Si2- 振动旋转状态延迟电子解吸
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K Hansen
中科院分区：
文献类型：
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作者：
飯田進平;久間晋;松本淳;古川武;田沼肇;城丸春夫;東俊行;V Zhaunerchyk;K Hansen
