(GaN/AlN)多重緩衝層を用いたRF-MBE法によるSi基板上GaN薄膜成長
(GaN/AlN)多重緩衝層を用いたRF-MBE法によるSi基板上GaN薄膜成長
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使用多个缓冲层通过 RF-MBE 方法在 Si 衬底上生长 (GaN/AlN) GaN 薄膜
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
本田徹
中科院分区：
文献类型：
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作者：
井垣辰浩;林才人;山口智広;本田徹
