Heterogeneous integration of vertical InGaAs nanowires on Ge (111) substrates by selective-area growth
Heterogeneous integration of vertical InGaAs nanowires on Ge (111) substrates by selective-area growth
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通过选择性区域生长在Ge（111）衬底上异质集成垂直InGaAs纳米线
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. Motohisa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Yoshida;Y. Minami;K. Tomioka;J. Motohisa
