n-type Si/SiGe resonant tunnelling diodes
n-type Si/SiGe resonant tunnelling diodes
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n型Si/SiGe谐振隧道二极管
DOI：
10.1016/s0921-5107(01)00785-1
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发表时间：
2002
影响因子：
3.6
通讯作者：
G. Crean
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. Paul;P. See;I. Zozoulenko;K. Berggren;B. Holländer;S. Mantl;N. Griffin;B. Coonan;G. Redmond;G. Crean
