Stress evolution during epitaxial growth of SrO films on hydrogen-terminated Si(111) surfaces

Stress evolution during epitaxial growth of SrO films on hydrogen-terminated Si(111) surfaces
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氢封端 Si(111) 表面外延生长 SrO 薄膜时的应力演化

DOI:
10.1016/s0038-1098(02)00579-3
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发表时间:
2002
影响因子:
2.1
通讯作者:
A. Koma
A. Koma
中科院分区:
物理与天体物理4区
文献类型:
--
作者:
H. Asaoka;Y. Machida;H. Yamamoto;K. Hojou;K. Saiki;A. Koma

文献摘要

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