津田 穣、笈川 節子: "aーSi:H成長表面の反応素過程I.水素脱離機構" 第37回応用物理学関係連合講演会講演予稿集. 2. 729-729 (1990)
津田 穣、笈川 節子: "aーSi:H成長表面の反応素過程I.水素脱離機構" 第37回応用物理学関係連合講演会講演予稿集. 2. 729-729 (1990)
复制标题
Jo Tsuda、Setsuko Okawa:“a-Si:H 生长表面的基本反应过程 I. 氢解吸机制”第 37 届应用物理会议论文集 2. 729-729 (1990)。
DOI:
--
复制
发表时间:
--
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
中科院分区:
文献类型:
--
作者: