NEGF法を用いたDG MOSFETのフルバンド量子輸送シミュレーション
NEGF法を用いたDG MOSFETのフルバンド量子輸送シミュレーション
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使用 NEGF 方法进行 DG MOSFET 的全带量子输运模拟
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
三成英樹
中科院分区：
文献类型：
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作者：
三成英樹;西谷大祐;森伸也;H. Minari and N. Mori;H. Minari and N. Mori;三成英樹;三成英樹;三成英樹
