Prominent higher-order contributions to electronic recombination.
Prominent higher-order contributions to electronic recombination.
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对电子复合的突出高阶贡献。
DOI：
10.1103/physrevlett.107.143201
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发表时间：
2011
影响因子：
8.6
通讯作者：
Z. Harman
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
C. Beilmann;P. Mokler;S. Bernitt;C. Keitel;J. Ullrich;José R. Crespo López;Z. Harman
报道了高电荷态Ar、Fe和Kr离子的壳层间高阶电子复合，其中一个自由电子的共振俘获同时激发一个K壳层电子和一个或两个额外的L壳层电子。对于中Z区，Ho共振强度随着原子序数Z(∝Z(-4))的减小而出人意料地增强，因此，对于Ar离子，二阶共振强度大大超过了一阶共振复合。多组态Dirac-Fock计算证实了实验结果，其中包括迄今被忽略的激发路径。
Intershell higher-order (HO) electronic recombination is reported for highly charged Ar, Fe, and Kr ions, where simultaneous excitation of one K-shell electron and one or two additional L-shell electrons occurs upon resonant capture of a free electron. For the mid-Z region, HO resonance strengths grow unexpectedly strong with decreasing atomic number Z (∝Z(-4)), such that, for Ar ions the 2nd-order overwhelms the 1st-order resonant recombination considerably. The experimental findings are confirmed by multiconfiguration Dirac-Fock calculations including hitherto neglected excitation pathways.
影响因子：
64.8
作者：
Uiberacker, M.;Uphues, Th.;Krausz, F.
通讯作者：
Krausz, F.
影响因子：
19.6
作者：
N. Sisourat;N. Kryzhevoi;P. Kolorenč;S. Scheit;T. Jahnke;L. Cederbaum
通讯作者：
N. Sisourat;N. Kryzhevoi;P. Kolorenč;S. Scheit;T. Jahnke;L. Cederbaum