MBE法によるSi基板上への高品質CuCl薄膜成長
MBE法によるSi基板上への高品質CuCl薄膜成長
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采用 MBE 方法在 Si 衬底上生长高质量 CuCl 薄膜
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
市川紗梨菜，一宮正義，柳沢淳一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Kinoshita;T. Matsuda;T. Takahashi;M. Ichimiya;M. Ashida;Y. Furukawa;M. Nakayama;and H. Ishihara;伊藤 陸，一宮正義，柳沢淳一;市川紗梨菜，一宮正義，柳沢淳一
