Sputter epitaxy of high quality (ZnO)x(InN)1-x: a new semiconducting material for excitonic devices
Sputter epitaxy of high quality (ZnO)x(InN)1-x: a new semiconducting material for excitonic devices
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高质量 (ZnO)x(InN)1-x 溅射外延：用于激子器件的新型半导体材料
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
N. Itagaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Matsushima;R. Shimizu;T. Ide;D. Yamashita;H. Seo;K. Koga;M. Shiratani;N. Itagaki;R. Ishida and T. Tanabe;N. Itagaki
