Effect of As overpressure on Si-doped (111)A, (211)A and (311)A GaAs grown by molecular beam epitaxy
Effect of As overpressure on Si-doped (111)A, (211)A and (311)A GaAs grown by molecular beam epitaxy
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As超压对分子束外延生长Si掺杂(111)A、(211)A和(311)A GaAs的影响
DOI：
10.1016/0026-2692(95)00034-8
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发表时间：
1995
影响因子：
2.2
通讯作者：
M. Henini
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. Johnston;Lorenzo Pavesi;M. Henini
