Development of Aluminum Nitride Piezoelectric Thin Film by Doping
Development of Aluminum Nitride Piezoelectric Thin Film by Doping
复制标题
掺杂氮化铝压电薄膜的研制
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Masato Uehara et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kaori Yokota;Miki Nakashima1;Minami Kimura;Masatomo Uehara;Jun Gouchi;Yoshiya Uwatoko; Izuru Umehara;Masato Uehara et al.;Masato Uehara et al.
