High Drain Current Density E-Mode Al_2O_3/AlGaN/GaN MOS-HEMT on Si With Enhanced Power Device Figure-of-Merit (4×10^<8> V^<2>Ω^<-1>cm^<-2>)
High Drain Current Density E-Mode Al_2O_3/AlGaN/GaN MOS-HEMT on Si With Enhanced Power Device Figure-of-Merit (4×10^<8> V^<2>Ω^<-1>cm^<-2>)
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硅基高漏极电流密度 E 模式 Al_2O_3/AlGaN/GaN MOS-HEMT，具有增强型功率器件品质因数 (4×10^<8> V^<2>Ω^<-1>cm^<-2 >)
DOI：
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发表时间：
2013
影响因子：
3.1
通讯作者：
T. Egawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. J. Freedsman;T. Kubo;T. Egawa
