High performance a-InGaZnOx Thin-Film Transistors fabricated by Solution-Based Atmospheric Pressure Deposition Method
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基于溶液的常压沉积法制备高性能a-InGaZnOx薄膜晶体管
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Sanada
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Mamoru Furuta;Toshiyuki Kawaharamura;T. Uchida;Dapeng Wang;M. Sanada
