Determination of In concentration in pseudomorphic InxGal-xN quantum wells based on convergent-beam electron diffraction
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基于会聚束电子衍射的赝晶 InxGal-xN 量子阱中 In 浓度的测定
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
D.J.Smith
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J.N.Stirman;M.Takeguchi;M.R.McCartney;D.J.Smith
