Process Control Capabilities Of Plasma-Enhanced Reactive Sputter Deposition With New Type Of Low-Inductance-Antenna Driven ICP For Large-Area Formation Of Semiconductor Films
Process Control Capabilities Of Plasma-Enhanced Reactive Sputter Deposition With New Type Of Low-Inductance-Antenna Driven ICP For Large-Area Formation Of Semiconductor Films
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采用新型低电感天线驱动 ICP 的等离子体增强反应溅射沉积的工艺控制能力，用于大面积形成半导体薄膜
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Akinori Ebe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yuichi Setsuhara;Kosuke Takenaka;Hirofumi Ohtani;Akinori Ebe
