Interface Reaction and Rate Enhancement of SiGe Thermal Oxidation SiGe Thermal Oxidation
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复制标题
SiGe 热氧化的界面反应和速率增强 SiGe Thermal Oxidation
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.shimura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M.Hojo;K.Okimura;T.shimura
